省エネルギーの成膜技術として待望されている「非真空成膜プロセス」の重要性から、ミストデポジション法に焦点をあて、 実用化可能な技術・装置の開発を目指して、ミストの挙動、成長・成膜の機構、技術の実用化展開に関して研究開発を進めております。
このたび成果の一部を公開し、今後の技術展開を図るためのご示唆を頂戴いたしたく、シンポジウムを企画いたしました。
本技術への関心をいただく多数の方のご参加をお待ちしております。
詳細に関するホームページ
http://www.pesec.t.kyoto-u.ac.jp/ematerial/mistsymp/
■日 時：平成28年1月18日 (月) 13:00 ～ 19:00
■会 場：京都リサーチパーク 西地区4号館2階 ルーム2
■参加費：無料（17：00～の交流会は会費5,000円）
■講演プログラム（13：00～17：00）
●開会挨拶
近畿経済産業局 地域経済部 次世代産業課 産学官連携推進室長
平田 省司 氏
国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構
イノベーション推進部 フロンティアグループ 主査
前田 周 氏
●ミストCVD法による酸化物半導体のエピタキシャル成長
京都大学 工学研究科 教授
藤田 静雄 氏
●大気圧下における高品質薄膜作製のための高度制御技術
高知工科大学 総合研究所 准教授
川原村 敏幸 氏
●大気圧下におけるミスト液滴の挙動
東京大学 生産技術研究所 特任准教授
苷蔗 寂樹 氏
●MIST EPITAXY技術を用いたGa2O3パワーデバイスの事業化
株式会社FLOSFIA 代表取締役
人羅 俊実 氏
●パネルディスカッション「ミストCVD法の産業展開」
コーディネータ
公益財団法人京都高度技術研究所 地域イノベーション戦略推進部 地域連携コーディネータ
高山 卓之 氏
●閉会挨拶
京都大学 工学研究科 教授
平尾 一之 氏
■ポスターセッションおよび意見交換会（17:00～19：00）
※別途、交流会費5,000円が必要です（当日徴収）
■主催
高品質／高均質薄膜を実現する非真空成膜プロセスの研究開発 研究推進委員会
（構成：京都大学、高知工科大学、東京大学、株式会社FLOSFIA）
■お問合せ先
研究推進委員会事務局（株式会社フューチャーラボラトリ 担当：山田）
mistcvdsymp@futurelaboratory.jp
■お申込み方法
以下をご記入の上、E-mailでお送りください
送信先：mistcvdsymp@futurelaboratory.jp
・会社・団体名
・郵便番号
・住所
・電話番号
・お名前
・部署・役職
・メールアドレス
・交流会 : 参加 ・ 不参加
★★本研究開発に関連するプレスリリースを一部ご紹介します。★★
FLOSFIAプレスリリース
http://flosfia.com/index/wp-content/uploads/2015/10/894288a7423ac63964561ccc26e64c5d.pdf
日経新聞
http://www.nikkei.com/article/DGXLZO93232420V21C15A0TJE000/
Tech-On!
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15/102100827/?rt=nocnt